| 型号： | BSS192P L6327 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| BSS192P L6327 PDF |  |
| 产品目录绘图 | Mosfets SOT-89 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 190mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12 欧姆 @ 190mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 130µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 104pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商设备封装 | PG-SOT89-4 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1620 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BSS192PL6327INDKR |